Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (94 Beoordelingen)
IPP041N12N3GXKSA1
Productoverzicht
12803539
DiGi Electronics Onderdeelnummer
IPP041N12N3GXKSA1-DGFabrikant
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Beschrijving
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Voorraad
200457 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
IPP041N12N3GXKSA1 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Tube
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
120 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IPP041
Datasheet & Documenten
Technische fiches
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML Gegevensblad
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
डिसेम्बर ०२, २०२५
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
डिसेम्बर ०२, २०२५
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET (IPP041N12N3GXKSA1)?
Deze MOSFET ondersteunt een drain-naar-bron-spanning van 120V en een continue drain-stroom van 120A bij 25°C, met een lage Rds On van 4,1 mΩ, waardoor hij geschikt is voor hoogvermogen schakelaansluitingen. Hij is ontworpen met een TO-220-3 behuizing voor eenvoudige montage en betrouwbare prestaties.
Voor welke toepassingen is deze 120V 120A MOSFET geschikt?
Deze MOSFET is ideaal voor voedingen, motorbesturingen en hoogstroomschakelingen waar efficiënt energiebeheer en thermisch vermogen van cruciaal belang zijn. Het robuuste ontwerp garandeert duurzaamheid in veeleisende elektronische systemen.
Is deze N-Channel MOSFET compatibel met bestaande elektronische ontwerpen?
Ja, de IPP041N12N3GXKSA1 is compatibel met standaard poortaansluitspanningen en beschikt over een poortdrempel van 4V, waardoor hij geschikt is voor diverse schakelingen in voedingen en embedded systems.
Wat zijn de voordelen van het kiezen voor Infineon’s OptiMOS™ serie MOSFETs?
OptiMOS™ MOSFETs staan bekend om hun lage Rds On, hoge efficiëntie en uitstekende thermische prestaties, wat helpt bij het verminderen van het vermogen dat verloren gaat en de algemene betrouwbaarheid van het systeem verbetert.
Welke garanties en ondersteuning zijn beschikbaar voor dit MOSFET-product?
Omdat het een actief en RoHS3-conform product is, wordt de MOSFET ondersteund door de fabrikant en geleverd met kwaliteitsgarantie. Het wordt rechtstreeks uit voorraad geleverd, waardoor snelle beschikbaarheid voor uw projecten wordt gewaarborgd.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
