SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (263 Beoordelingen)

SI8816EDB-T2-E1

Productoverzicht

12786731

DiGi Electronics Onderdeelnummer

SI8816EDB-T2-E1-DG
SI8816EDB-T2-E1

Beschrijving

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
N-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

RFQ (Verzoek om Offertes)

U kunt uw RFQ-aanvraag rechtstreeks op de productdetailpagina of RFQ-pagina indienen. Ons verkoopteam zal binnen 24 uur op uw aanvraag reageren.

Betalingsmethode

We bieden verschillende handige betalingsmethoden aan, waaronder PayPal (aanbevolen voor nieuwe klanten), creditcards en bankoverschrijvingen (T/T) in USD, EUR, HKD en andere valuta.

BELANGRIJKE KENNISGEVING

Nadat u uw offerteaanvraag heeft verzonden, ontvangt u een e-mail in uw inbox over onze ontvangst van uw aanvraag. Als u deze niet ontvangt, is het mogelijk dat ons e-mailadres als spam wordt gemarkeerd. Controleer uw spammap en voeg ons e-mailadres [email protected] toe aan uw lijst met veilige afzenders om ervoor te zorgen dat u onze offerte ontvangt. Vanwege de mogelijkheid van voorraad- en prijsfluctuaties, moet ons verkoopteam uw aanvraag of bestelling opnieuw bevestigen en u tijdig per e-mail op de hoogte stellen van eventuele updates. Als u andere vragen heeft of extra hulp nodig heeft, laat het ons dan gerust weten.

Op voorraad (Alle prijzen zijn in USD)
  • AANTAL Doelprijs Totale Prijs
  • 3000 0.13 387.81
  • 6000 0.12 735.50
  • 9000 0.11 1003.53
  • 30000 0.11 3225.61
  • 75000 0.10 7496.58
Betere prijs via online offerte-aanvraag.
Offerte Aanvragen(Verzendt morgen)
Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

SI8816EDB-T2-E1 Technische specificaties

Categorie FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant Vishay

Verpakking Tape & Reel (TR)

Reeks TrenchFET®

Toestand van het product Active

Soort FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 30 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 2.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs 109mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V

Vgs (Max.) ±12V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 15 V

FET-functie -

Vermogensdissipatie (max.) 500mW (Ta)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage Surface Mount

Leverancier Device Pakket 4-Microfoot

Pakket / Doos 4-XFBGA

Basis productnummer SI8816

Datasheet & Documenten

Technische fiches

SI8816EDB

HTML Gegevensblad

SI8816EDB-T2-E1-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-status REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI8816EDB-T2-E1CT
SI8816EDB-T2-E1TR
SI8816EDB-T2-E1DKR
DIGI Certificering
Blogs en Berichten