Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
3354 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (298 Beoordelingen)
SIHD2N80E-GE3
Productoverzicht
12786126
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SIHD2N80E-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SIHD2N80E-GE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAKVoorraad
3354 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SIHD2N80E-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
62.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SIHD2
Datasheet & Documenten
HTML Gegevensblad
SIHD2N80E-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIHD2N80E-GE3CT
SIHD2N80E-GE3TRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3DKR
SIHD2N80E-GE3CT-DG
SIHD2N80E-GE3DKR-DG
SIHD2N80E-GE3TR-DG
SIHD2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3TR
Vervangende onderdelen
DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
डिसेम्बर ०२, २०२५
DiGi Electronics는 언제나 빠른 출하와 높은 품질을 자랑합니다.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Leur personnel est toujours sympa et leurs prix sont très compétitifs.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Très satisfait de mes achats, la qualité est toujours excellente et le prix raisonnable.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Bei DiGi Electronics stimmt einfach alles – Qualität, Service und Freundlichkeit.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their quick shipping process ensures my operations remain uninterrupted.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their quick delivery and competitive prices make every purchase worthwhile.
डिसेम्बर ०२, २०२५
They address any concerns swiftly, ensuring peace of mind.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Responses to my post-purchase questions were quick and clear.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their team quickly resolves any concerns, making us feel valued as a customer.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SIHD2N80E-GE3 MOSFET?
De Vishay SIHD2N80E-GE3 is een N-channel MOSFET met een spanningsclassificatie van 800V, een continue afvoerstroom van 2,8A en een maximale dissipatie van 62,5W, geschikt voor hoogspanningsschakeltoepassingen.
Is de Vishay SIHD2N80E-GE3 compatibel met standaard oppervlakmontage PCB-assemblages?
Ja, deze MOSFET wordt geleverd in een DPAK (TO-252-3) behuizing, ontworpen voor oppervlaktemontage, waardoor hij compatibel is met standaard PCB-assemblageprocessen.
Wat zijn de typische toepassingen voor de 800V N-channel MOSFET van Vishay?
Deze hoogspannings-MOSFET is ideaal voor vermogensschakeling, motoraansturing en hoogspanningsvoedingstoepassingen die efficiënt en betrouwbaar operationeel moeten zijn.
Hoe zorg ik voor een goede werking van de Vishay SIHD2N80E-GE3 MOSFET in mijn schakeling?
Zorg dat de poortaandrijfvOmgeving minstens 10V bereikt om de MOSFET volledig te schakelen, en werk binnen de gespecificeerde spannings-, stroom- en temperatuurbereiken om schade te voorkomen en optimale prestaties te behalen.
Biedt Vishay garantie of ondersteuning voor de SIHD2N80E-GE3 MOSFET?
Vishay biedt betrouwbare ondersteuning en garantie voor hun producten; neem contact op met uw leverancier of direct met Vishay voor details over garantie, technische ondersteuning en after-sales diensten.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SIHD2N80E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
