SIHD2N80E-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (289 Beoordelingen)

SIHD2N80E-GE3

Productoverzicht

12786126

DiGi Electronics Onderdeelnummer

SIHD2N80E-GE3-DG
SIHD2N80E-GE3

Beschrijving

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Voorraad

1 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

RFQ (Verzoek om Offertes)

U kunt uw RFQ-aanvraag rechtstreeks op de productdetailpagina of RFQ-pagina indienen. Ons verkoopteam zal binnen 24 uur op uw aanvraag reageren.

Betalingsmethode

We bieden verschillende handige betalingsmethoden aan, waaronder PayPal (aanbevolen voor nieuwe klanten), creditcards en bankoverschrijvingen (T/T) in USD, EUR, HKD en andere valuta.

BELANGRIJKE KENNISGEVING

Nadat u uw offerteaanvraag heeft verzonden, ontvangt u een e-mail in uw inbox over onze ontvangst van uw aanvraag. Als u deze niet ontvangt, is het mogelijk dat ons e-mailadres als spam wordt gemarkeerd. Controleer uw spammap en voeg ons e-mailadres [email protected] toe aan uw lijst met veilige afzenders om ervoor te zorgen dat u onze offerte ontvangt. Vanwege de mogelijkheid van voorraad- en prijsfluctuaties, moet ons verkoopteam uw aanvraag of bestelling opnieuw bevestigen en u tijdig per e-mail op de hoogte stellen van eventuele updates. Als u andere vragen heeft of extra hulp nodig heeft, laat het ons dan gerust weten.

Op voorraad (Alle prijzen zijn in USD)
  • AANTAL Doelprijs Totale Prijs
  • 1 1.30 1.30
  • 10 1.02 10.17
  • 100 0.82 81.74
  • 500 0.67 335.38
  • 1000 0.56 564.41
  • 3000 0.53 1577.05
  • 6000 0.51 3036.18
  • 12000 0.48 5730.44
Betere prijs via online offerte-aanvraag.
Offerte Aanvragen(Verzendt morgen)
Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

SIHD2N80E-GE3 Technische specificaties

Categorie FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant Vishay

Verpakking Tube

Reeks E

Toestand van het product Active

Soort FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 800 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 10V

Rds aan (max) @ id, vgs 2.75Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 19.6 nC @ 10 V

Vgs (Max.) ±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 100 V

FET-functie -

Vermogensdissipatie (max.) 62.5W (Tc)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage Surface Mount

Leverancier Device Pakket TO-252AA

Pakket / Doos TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Basis productnummer SIHD2

Datasheet & Documenten

HTML Gegevensblad

SIHD2N80E-GE3-DG

Technische fiches

SIHD2N80E

SIHD2N80E

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-status REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIHD2N80E-GE3CT
SIHD2N80E-GE3TRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3DKR
SIHD2N80E-GE3CT-DG
SIHD2N80E-GE3DKR-DG
SIHD2N80E-GE3TR-DG
SIHD2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3TR

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
STD2N62K3
STMicroelectronics
2192
STD2N62K3-DG
0.54
MFR Recommended
SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
8940
SPD02N80C3ATMA1-DG
0.43
MFR Recommended
DIGI Certificering
Blogs en Berichten