Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Levens- en betrouwbaarheidsevaluatie
Servicemail:
[email protected]
>
SIR112DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
3553 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (73 Beoordelingen)
SIR112DP-T1-RE3
Productoverzicht
12787538
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SIR112DP-T1-RE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SIR112DP-T1-RE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAKVoorraad
3553 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SIR112DP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.96mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+20V, -16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4270 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR112
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SIR112DP
HTML Gegevensblad
SIR112DP-T1-RE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
डिसेम्बर ०२, २०२५
Die Kombination aus Erschwinglichkeit und Zuverlässigkeit ist bei DiGi Electronics einfach hervorragend.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Excellent craftsmanship and competitive prices make DiGi Electronics stand out.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Excellent after-sales service makes me confident in choosing DiGi Electronics.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Fast response times from support staff made resolving issues stress-free.
डिसेम्बर ०२, २०२५
You can rely on DiGi Electronics for cost-effective solutions that do not compromise on packaging quality.
डिसेम्बर ०२, २०२५
I am impressed by their swift shipping and professional customer service.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SIR112DP-T1-RE3 MOSFET?
De Vishay SIR112DP-T1-RE3 is een N-kanaal Power MOSFET met een spanningsclassificatie van 40V en een continu drain-stroom van 37,6A (omgevingstemperatuur) en 133A (behuizing). Het beschikt over een PowerPAK® SO-8 verpakking, lage Rds On (1,96 mΩ bij 10A, 10V) en hoge dissipatiecapaciteiten, waardoor het geschikt is voor toepassingen met hoge stroomsterktes.
Voor welke toepassingen is deze MOSFET geschikt?
Deze MOSFET is ideaal voor vermogensschakelingen, motorcontrole en DC-DC-omvormers vanwege de hoge stroomcapaciteit, lage Rds On en brede bedrijfstemperatuursomvang van -55°C tot 150°C. Het compacte oppervlakte-montage ontwerp is ook geschikt voor ruimtegevoelige elektronische ontwerpen.
Is de Vishay SIR112DP-T1-RE3 compatibel met standaard PCB-layouts?
Ja, de PowerPAK® SO-8 verpakking is ontworpen voor oppervlakte-montage op PCB's, wat eenvoudige integratie garandeert met standaard fabricageprocessen en compatibiliteit met gangbare footprintpatronen voor een efficiënte installatie.
Wat zijn de voordelen van het gebruik van deze MOSFET ten opzichte van andere?
Deze MOSFET biedt lage Rds On voor hoge efficiëntie, robuuste dissipatiecapaciteiten en een brede spanning- en temperatuursrange, waardoor hij betrouwbare prestaties levert in veeleisende elektronische toepassingen. De naleving van RoHS3 waarborgt ook dat hij milieuvriendelijk is.
Welke ondersteuning- en garantieservices worden aangeboden voor de Vishay SIR112DP-T1-RE3?
Dit product is op voorraad en wordt als nieuw verkocht, met fabrieksgaranties en ondersteuning van bevoegde distributeurs. Technische datasheets en handleidingen zijn beschikbaar om te helpen bij integratie en troubleshooting.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SIR112DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR112DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
