SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (56 Beoordelingen)

SIR112DP-T1-RE3

Productoverzicht

12787538

DiGi Electronics Onderdeelnummer

SIR112DP-T1-RE3-DG
SIR112DP-T1-RE3

Beschrijving

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

RFQ (Verzoek om Offertes)

U kunt uw RFQ-aanvraag rechtstreeks op de productdetailpagina of RFQ-pagina indienen. Ons verkoopteam zal binnen 24 uur op uw aanvraag reageren.

Betalingsmethode

We bieden verschillende handige betalingsmethoden aan, waaronder PayPal (aanbevolen voor nieuwe klanten), creditcards en bankoverschrijvingen (T/T) in USD, EUR, HKD en andere valuta.

BELANGRIJKE KENNISGEVING

Nadat u uw offerteaanvraag heeft verzonden, ontvangt u een e-mail in uw inbox over onze ontvangst van uw aanvraag. Als u deze niet ontvangt, is het mogelijk dat ons e-mailadres als spam wordt gemarkeerd. Controleer uw spammap en voeg ons e-mailadres [email protected] toe aan uw lijst met veilige afzenders om ervoor te zorgen dat u onze offerte ontvangt. Vanwege de mogelijkheid van voorraad- en prijsfluctuaties, moet ons verkoopteam uw aanvraag of bestelling opnieuw bevestigen en u tijdig per e-mail op de hoogte stellen van eventuele updates. Als u andere vragen heeft of extra hulp nodig heeft, laat het ons dan gerust weten.

Op voorraad (Alle prijzen zijn in USD)
  • AANTAL Doelprijs Totale Prijs
  • 3000 0.50 1499.10
  • 6000 0.49 2949.55
  • 9000 0.46 4130.31
Betere prijs via online offerte-aanvraag.
Offerte Aanvragen(Verzendt morgen)
Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

SIR112DP-T1-RE3 Technische specificaties

Categorie FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant Vishay

Verpakking Tape & Reel (TR)

Reeks TrenchFET® Gen IV

Toestand van het product Active

Soort FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 40 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 37.6A (Ta), 133A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs 1.96mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V

Vgs (Max.) +20V, -16V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 4270 pF @ 20 V

FET-functie -

Vermogensdissipatie (max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage Surface Mount

Leverancier Device Pakket PowerPAK® SO-8

Pakket / Doos PowerPAK® SO-8

Basis productnummer SIR112

Datasheet & Documenten

Technische fiches

SIR112DP

HTML Gegevensblad

SIR112DP-T1-RE3-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
RS3L045GNGZETB
Rohm Semiconductor
1173
RS3L045GNGZETB-DG
0.25
MFR Recommended
RS6G120BGTB1
Rohm Semiconductor
2094
RS6G120BGTB1-DG
1.48
MFR Recommended
RQ3G100GNTB
Rohm Semiconductor
112698
RQ3G100GNTB-DG
0.14
MFR Recommended
RS1G150MNTB
Rohm Semiconductor
Offerte Aanvragen Online
RS1G150MNTB-DG
0.32
MFR Recommended
RQ3E180GNTB
Rohm Semiconductor
4770
RQ3E180GNTB-DG
0.21
MFR Recommended
DIGI Certificering
Blogs en Berichten