Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SIR496DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
1713 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (471 Beoordelingen)
SIR496DP-T1-GE3
Productoverzicht
12786505
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SIR496DP-T1-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SIR496DP-T1-GE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8Voorraad
1713 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SIR496DP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR496
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SIR496DP
HTML Gegevensblad
SIR496DP-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR496DP-T1-GE3CT
Q6936817FH
SIR496DP-T1-GE3TR
SIR496DPT1GE3
SIR496DP-T1-GE3DKR
Vervangende onderdelen
DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
डिसेम्बर ०२, २०२५
Très satisfait par la rapidité de leur service logistique et la qualité du support.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Ich habe kaum Probleme mit den Produkten und im Falle eines Falles wurde mir stets schnell geholfen.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Every time I shop here, I know I will receive consistent, high-quality products.
डिसेम्बर ०२, २०२५
They have established a reliable supply chain with sufficient stock levels and dedicated after-sales care.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Efficient logistics help reduce overall operational costs for customers.
डिसेम्बर ०२, २०२५
I always get my orders swiftly, and the quality of their electronic components is excellent.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The packaging integrity of DiGi Electronics has never been compromised, even during long-distance shipping.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Great durability and trustworthiness at an affordable price point.
डिसेम्बर ०२, २०२५
I've been very impressed with how user-friendly their website is, making shopping a breeze.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SIR496DP T1 G E3 MOSFET?
De Vishay SIR496DP T1 G E3 is een N-Channel Power MOSFET met een spanningsclassificatie van 20V en een continue drainstroom van 35A, geschikt voor toepassingen met hoge stroomschakeling. Hij beschikt over een PowerPAK SO-8 behuizing met lage Rds(on) voor efficiënte stroomgeleiding en werkt binnen een temperatuurbereik van -55°C tot 150°C.
Is de Vishay SIR496DP T1 G E3 MOSFET compatibel met lage poort-aansluitspanningen?
Ja, deze MOSFET kan worden bestuurd met een maximale Vgs van 10V voor optimale Rds(on) prestaties, waardoor hij compatibel is met gangbare logische laag-gate drivers in diverse elektronische schakelingen.
Wat zijn de gangbare toepassingen van de Vishay SIR496DP T1 G E3 N-Channel MOSFET?
Deze MOSFET is ideaal voor stroombeheer, motoraansturing en schakeltoepassingen waarbij hoge stroomafhandeling en lage conversieverliezen vereist zijn, vooral in compacte oppervlakte-montage ontwerpen.
Kan ik de Vishay SIR496DP T1 G E3 MOSFET gebruiken in omgevingen met hoge temperaturen?
Ja, hij is betrouwbaar te gebruiken bij een junction-temperatuur tot 150°C, wat hem geschikt maakt voor industriële en vermogenselektronica toepassingen met hoge temperatuur.
Hoe beïnvloedt de status 'obsolet' de aankoop van deze Vishay MOSFET, en zijn er geschikte alternatieven?
Aangezien dit model als obsoleet wordt beschouwd, is het verstandig om contact op te nemen met leveranciers voor voorraad of alternatieven met vergelijkbare specificaties, zoals de BSC046N02KSGAUMA1 of SIR410DP T1 G E3.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SIR496DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR496DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
