SIR814DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (37 Beoordelingen)

SIR814DP-T1-GE3

Productoverzicht

12787318

DiGi Electronics Onderdeelnummer

SIR814DP-T1-GE3-DG

Fabrikant

Vishay Siliconix
SIR814DP-T1-GE3

Beschrijving

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Voorraad

Offerte Aanvragen Online
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Enkele FET's, MOSFET's
SIR814DP-T1-GE3 Datasheet
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

RFQ (Verzoek om Offertes)

U kunt uw RFQ-aanvraag rechtstreeks op de productdetailpagina of RFQ-pagina indienen. Ons verkoopteam zal binnen 24 uur op uw aanvraag reageren.

Betalingsmethode

We bieden verschillende handige betalingsmethoden aan, waaronder PayPal (aanbevolen voor nieuwe klanten), creditcards en bankoverschrijvingen (T/T) in USD, EUR, HKD en andere valuta.

BELANGRIJKE KENNISGEVING

Nadat u uw offerteaanvraag heeft verzonden, ontvangt u een e-mail in uw inbox over onze ontvangst van uw aanvraag. Als u deze niet ontvangt, is het mogelijk dat ons e-mailadres als spam wordt gemarkeerd. Controleer uw spammap en voeg ons e-mailadres [email protected] toe aan uw lijst met veilige afzenders om ervoor te zorgen dat u onze offerte ontvangt. Vanwege de mogelijkheid van voorraad- en prijsfluctuaties, moet ons verkoopteam uw aanvraag of bestelling opnieuw bevestigen en u tijdig per e-mail op de hoogte stellen van eventuele updates. Als u andere vragen heeft of extra hulp nodig heeft, laat het ons dan gerust weten.

Offerte Aanvragen(Verzendt morgen)
Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

SIR814DP-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant Vishay

Verpakking -

Reeks TrenchFET®

Toestand van het product Obsolete

Soort FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 40 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 60A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs 2.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V

Vgs (Max.) ±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 20 V

FET-functie -

Vermogensdissipatie (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage Surface Mount

Leverancier Device Pakket PowerPAK® SO-8

Pakket / Doos PowerPAK® SO-8

Basis productnummer SIR814

Datasheet & Documenten

Datasheets

Downloaden SIR814DP-T1-GE3 Product Specificatie (PDF)
Technische fiches

SIR814DP-T1-GE3
HTML Gegevensblad

SIR814DP-T1-GE3-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
CSD18502Q5B
Texas Instruments
3810
CSD18502Q5B-DG
1.04
MFR Recommended
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
18064
BSC022N04LSATMA1-DG
0.52
MFR Recommended
SIR470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
6457
SIR470DP-T1-GE3-DG
1.11
MFR Recommended
DIGI Certificering
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Gerelateerde Producten
Blogs en Berichten
Latest Advancements in Integrated Circuit Technology: Analysis of Five Cutting-Edge Technologies
जनवरी १८ २०२५
Advances in Inductor Technology: Innovative Applications of LTCC and High-Frequency Resonant Converters
जनवरी १८ २०२५
Circuitbeveiliging: sleuteltechnologieën voor het waarborgen van de veiligheid van industriële en auto-elektronische systemen
जनवरी १८ २०२५