Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SIR814DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
3294 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (57 Beoordelingen)
SIR814DP-T1-GE3
Productoverzicht
12787318
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SIR814DP-T1-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SIR814DP-T1-GE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Voorraad
3294 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SIR814DP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR814
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SIR814DP-T1-GE3
HTML Gegevensblad
SIR814DP-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
डिसेम्बर ०२, २०२५
구매 후 지원도 훌륭했고, 배송도 매우 빠르게 도착해서 만족스러웠어요.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Customer service was outstanding; they supported me at every step.
डिसेम्बर ०२, २०२५
DiGi Electronics' eco packaging demonstrates their dedication to sustainability.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The overall design emphasizes durability, which has proven very reliable in everyday use.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The multiple layers of sustainable packaging showed attention to detail and environmental responsibility.
डिसेम्बर ०२, २०२५
I appreciate the prompt shipping service, which often gets my products to me ahead of schedule, especially during peak seasons.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Reliable after-sales service makes us feel valued as a customer.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SIR814DP-T1-GE3 MOSFET?
De Vishay SIR814DP-T1-GE3 is een N-channel MOSFET met een drain-naar-bron spanning van 40V, geschikt voor een continue stroom van 60A, met een lage Rds On van 2,1 mΩ, en geoptimaliseerd voor oppervlakte montage met PowerPAK® SO-8 behuizing.
Is de Vishay SIR814DP-T1-GE3 geschikt voor hoogstroom schakeltoepassingen?
Ja, met een maximale continue drainstroom van 60A en een lage Rds On, is deze MOSFET ideaal voor hoogstroom schakel- en vermogensbeheertoepassingen waar efficiëntie belangrijk is.
Wat zijn de compatibiliteitseisen en spanningsvereisten voor deze MOSFET?
Deze MOSFET vereist een poortspanning van 4,5V tot 10V voor optimale Rds On-prestaties, waardoor hij compatibel is met standaard logische en vermogenselektriciteitscircuits.
Zijn er speciale overwegingen voor het bedrijfstemperatuurbereik van deze MOSFET?
De Vishay SIR814DP-T1-GE3 kan effectief werken binnen een temperatuur van -55°C tot 150°C, geschikt voor uiteenlopende veeleisende omgevingen en thermische condities.
Waar kan ik de Vishay SIR814DP-T1-GE3 MOSFET kopen en is er after-sales ondersteuning?
Deze MOSFET is op voorraad bij geautoriseerde leveranciers; zorg ervoor dat u bij gerenommeerde dealers koopt voor echte producten. Voor ondersteuning kunt u de technische bronnen van Vishay raadplegen of contact opnemen met de klantenservice van uw leverancier.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SIR814DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR814DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
