Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SIR866DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
17800 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (291 Beoordelingen)
SIR866DP-T1-GE3
Productoverzicht
12787329
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SIR866DP-T1-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SIR866DP-T1-GE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8Voorraad
17800 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SIR866DP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4730 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR866
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SIR866DP
HTML Gegevensblad
SIR866DP-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR866DP-T1-GE3DKR
SIR866DPT1GE3
SIR866DP-T1-GE3TR
SIR866DP-T1-GE3CT
Vervangende onderdelen
DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
डिसेम्बर ०२, २०२५
물류Tracking 시스템이 직관적이며, 복잡하지 않아 누구든 쉽게 사용할 수 있습니다.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Es ist beeindruckend, wie einfach der Bestellprozess auf der Website gestaltet ist.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their support team is highly knowledgeable and responsive to all concerns.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The delivery service was punctual and handled my items with care.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their reliable products have significantly reduced our incidences of system failures.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Reliable delivery speed and affordable prices keep me as a loyal customer.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The response time from their support team was impressive, resolving my issue without delay.
डिसेम्बर ०२, २०२५
DiGi Electronics' commitment to post-purchase support is unmatched.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The customer service team is efficient and genuinely caring.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken en specificaties van de Vishay SIR866DP-T1-GE3 MOSFET?
De Vishay SIR866DP-T1-GE3 is een N-Kanaal MOSFET met een drain-source spanning van 20V en een maximale continue drainstroom van 60A. Hij beschikt over een PowerPAK SO-8 behuizing, een lage Rds On van 1,9 mΩ bij 20A, en is geschikt voor hoog-current schakeltoepassingen met een maximale vermogen dissipa'tie van 5,4W (omgevings- temperatuur) en 83W (behuizing).
Is de Vishay SIR866DP-T1-GE3 MOSFET compatibel met standaard oppervlakte montage technologie?
Ja, deze MOSFET gebruikt een PowerPAK® SO-8 oppervlakte montage behuizing, waardoor hij compatibel is met standaard oppervlakte montage assemblageprocessen voor gemakkelijke integratie in uw PCB-ontwerpen.
Wat zijn enkele veelvoorkomende toepassingen voor de SIR866DP-T1-GE3 MOSFET?
Deze N-Kanaal MOSFET is ideaal voor energiebeheer, motoraansturing, remcircuits en schakelende voedingen vanwege zijn hoge stroomcapaciteit en lage Rds On, wat zorgt voor efficiënte energiewisseling in diverse elektronische apparaten.
Is de Vishay SIR866DP-T1-GE3 geschikt voor extreme temperatuuromstandigheden?
Ja, hij werkt betrouwbaar binnen een temperatuurbereik van -55°C tot 150°C (TJ), waardoor hij geschikt is voor toepassingen en omgevingen met hoge thermische eisen.
Hoe kan ik de Vishay SIR866DP-T1-GE3 MOSFET kopen en wat is de garantie status?
De SIR866DP-T1-GE3 is op voorraad met meer dan 13.000 eenheden. Het is een nieuw en authentiek product, met standaard garantie- en ondersteuning-opties die verkrijgbaar zijn via geautoriseerde distributeurs en leveranciers.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SIR866DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR866DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
