SISS60DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (374 Beoordelingen)

SISS60DN-T1-GE3

Productoverzicht

12786623

DiGi Electronics Onderdeelnummer

SISS60DN-T1-GE3-DG
SISS60DN-T1-GE3

Beschrijving

MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK

Voorraad

5995 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

RFQ (Verzoek om Offertes)

U kunt uw RFQ-aanvraag rechtstreeks op de productdetailpagina of RFQ-pagina indienen. Ons verkoopteam zal binnen 24 uur op uw aanvraag reageren.

Betalingsmethode

We bieden verschillende handige betalingsmethoden aan, waaronder PayPal (aanbevolen voor nieuwe klanten), creditcards en bankoverschrijvingen (T/T) in USD, EUR, HKD en andere valuta.

BELANGRIJKE KENNISGEVING

Nadat u uw offerteaanvraag heeft verzonden, ontvangt u een e-mail in uw inbox over onze ontvangst van uw aanvraag. Als u deze niet ontvangt, is het mogelijk dat ons e-mailadres als spam wordt gemarkeerd. Controleer uw spammap en voeg ons e-mailadres [email protected] toe aan uw lijst met veilige afzenders om ervoor te zorgen dat u onze offerte ontvangt. Vanwege de mogelijkheid van voorraad- en prijsfluctuaties, moet ons verkoopteam uw aanvraag of bestelling opnieuw bevestigen en u tijdig per e-mail op de hoogte stellen van eventuele updates. Als u andere vragen heeft of extra hulp nodig heeft, laat het ons dan gerust weten.

Op voorraad (Alle prijzen zijn in USD)
  • AANTAL Doelprijs Totale Prijs
  • 3000 0.56 1673.19
  • 6000 0.54 3255.61
  • 9000 0.50 4510.86
Betere prijs via online offerte-aanvraag.
Offerte Aanvragen(Verzendt morgen)
Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

SISS60DN-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant Vishay

Verpakking Tape & Reel (TR)

Reeks TrenchFET® Gen IV

Toestand van het product Active

Soort FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 30 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs 1.31mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 85.5 nC @ 10 V

Vgs (Max.) +16V, -12V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 3960 pF @ 15 V

FET-functie Schottky Diode (Body)

Vermogensdissipatie (max.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage Surface Mount

Leverancier Device Pakket PowerPAK® 1212-8S

Pakket / Doos PowerPAK® 1212-8S

Basis productnummer SISS60

Datasheet & Documenten

Technische fiches

SiSS60DN

HTML Gegevensblad

SISS60DN-T1-GE3-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3TR
742-SISS60DN-T1-GE3TR
SISS60DN-T1-GE3TR-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3CT-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR-DG
SISS60DN-T1-GE3CT
742-SISS60DN-T1-GE3CT
DIGI Certificering
Blogs en Berichten