Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SISS60DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
3450 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (399 Beoordelingen)
SISS60DN-T1-GE3
Productoverzicht
12786623
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SISS60DN-T1-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SISS60DN-T1-GE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAKVoorraad
3450 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SISS60DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.31mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
85.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+16V, -12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3960 pF @ 15 V
FET-functie
Schottky Diode (Body)
Vermogensdissipatie (max.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8S
Basis productnummer
SISS60
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SiSS60DN
HTML Gegevensblad
SISS60DN-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3TR
742-SISS60DN-T1-GE3TR
SISS60DN-T1-GE3TR-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3CT-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR-DG
SISS60DN-T1-GE3CT
742-SISS60DN-T1-GE3CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
डिसेम्बर ०२, २०२५
배송이 예상보다 빠르게 도착해서 매우 기뻤어요.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The overall shopping experience was hassle-free thanks to the well-organized website.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The support staff is knowledgeable and courteous, providing excellent after-purchase help.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Amazing after-sales support! They resolved my issues promptly and professionally.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Their commitment to excellence makes them a leader in their field.
डिसेम्बर ०२, २०२५
DiGi Electronics’ after-sales service demonstrates genuine care for their customers.
डिसेम्बर ०२, २०२५
Overall, I am very satisfied with their consistently high standards.
डिसेम्बर ०२, २०२५
I recommend DiGi Electronics for their consistent product excellence.
डिसेम्बर ०२, २०२५
The company prioritized my urgent needs and delivered promptly.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SISS60DN-T1-GE3 N-channel MOSFET?
De Vishay SISS60DN-T1-GE3 is een high-performance N-channel MOSFET met een maximale drain-naar-bronspanning van 30V en een continue drainstroom van 50,1A bij 25°C. Het beschikt over een PowerPAK® 1212-8S oppervlakte-montage behuizing en een lage Rds(on), waardoor het geschikt is voor efficiënte schakeltoepassingen.
Is de Vishay SISS60DN-T1-GE3 compatibel met verschillende gateluchtspanningen?
Ja, deze MOSFET kan worden aangestuurd met gateluchtspanningen van 4,5V tot 10V, met een maximale Vgs van +16V. Hij is ontworpen voor efficiënt gebruik bij standaard logische spanning en biedt lage Rds(on) bij 10V Vgs.
Wat zijn de typische toepassingen voor deze PowerPAK® MOSFET?
Deze MOSFET is ideaal voor schakelende voedingen, motorbesturingen en load-switching circuits waar hoge efficiëntie, snelle schakeling en betrouwbare prestaties vereist zijn, vanwege de lage Rds(on) en hoge stroomcapaciteit.
Hoe presteert de Vishay SISS60DN-T1-GE3 onder hoge-temperatuuromstandigheden?
De MOSFET kan werken binnen een temperatuurbereik van -55°C tot 150°C, met een maximale vermogen dissipatie van 5,1W bij omgevingswarmte en 65,8W bij behuizingstemperatuur. Dit zorgt voor duurzaamheid in veeleisende omgevingen.
Wat zijn de voordelen van het kiezen voor deze oppervlakte-montage MOSFET van Vishay?
De PowerPAK® oppervlakte-montage behuizing biedt eenvoudiger installatie, uitstekende thermische prestaties en een compact ontwerp. De trenchFET®-technologie levert lage Rds(on) en hoge efficiëntie voor moderne elektronische toepassingen.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SISS60DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS60DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
